moneydj新聞 2017-11-27 13:21:22 記者 賴宏昌 報導
三星電子10月表示，2018年dram、nand型快閃記憶體供需預估將持續呈現吃緊。三星電子27日盤中下跌4.2％、創一年多以來最大跌幅。三星競爭對手sk hynix(000660.ks)一度下跌3.6％、創10月底以來最大跌幅。
韓聯社報導，南韓股市27日早盤遭逢來自外資與法人的賣壓，以三星電子為首的科技股領跌。
嘉實xq全球贏家報價系統顯示，截至台北時間27日下午12時41分為止，三星電子下跌4.18％、報2,657,000韓圜；開盤迄今最低跌至2,650,000韓圜、創10月27日以來新低。
sk hynix下跌2.35％、報83,100韓圜；開盤迄今最低跌至82,000韓圜、創11月20日以來新低。
美國記憶體大廠美光科技(micron technology inc., mu.us)11月24日上漲1.10％、收49.68美元，創2000年9月27日以來收盤新高；今年迄今大漲126.64％。
美光將在2017年12月19日公布2018會計年度第1季財報。新聞稿顯示，美光的記憶體與儲存解決方案協助推動人工智慧(ai)、機器學習以及自主駕駛車等顛覆性趨勢。
cnbc 11月10日報導，cm research研究經理cyrus mewawalla表示全球記憶體晶片短缺現象至少會延續至2018年底，主因為dram、nand型快閃記憶體需求來自ai、擴增實境等新且強大的科技循環。例如，美光晶片被用來驅動自駕車、協助汽車系統偵測路面狀況。
英特爾(intc.us)、美光科技11月13日宣布，im flash b60晶圓廠已完成擴建工程。新聞稿指出，規模擴大後的晶圓廠將生產3d xpoint記憶體媒體。成立於2006年的im flash合資企業替英特爾與美光生產非揮發性記憶體。
費城半導體指數11月24日漲12.59點或0.95％、收1,341.69點，創歷史收盤新高；週線上漲2.66％、連續第11週收高。
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